Описание продукта

2SB1197KT146R - это поверхностно-монтированный пnp-направленный транзистор (BJT) от ROHM Semiconductor, предназначенный для различных приложений усилителя. Этот дисkrétный полупроводниковый продукт имеет напряжение коллектор-эммитера -40В, напряжение разрушения коллектор-эммитера 32В и напряжение насыщения коллектор-эммитера -500мВ. С максимальным током коллектора 800мА и коэффициентом усиления DC 180, этот транзистор подходит для высокочастотных приложений.

Характеристики

Высокое напряжение коллектор-эммитера -40В

Низкое напряжение насыщения коллектор-эммитера -500мВ

Высокий коэффициент усиления DC 180

Максимальный ток коллектора 800мА

Продукт частотной полосы 200МГц

Не требует радиационной жесткости

Без свинца и соответствует RoHS3

Приложения

Усилители

Щитки переключения

Блоки питания

Обработка сигналов

Альтернативные части

2SB1197KT146R является подходящим альтернативой другим pnp-направленным транзисторам с аналогичными характеристиками, такими как 2SB1197KT146R от других производителей.

Встроенные модули

Этот транзистор часто используется в различных встроенных модулях, включая:
- Модули усилителей
- Модули блоков питания
- Модули обработки сигналов

Часто задаваемые вопросы

Q: Какова максимальная температура эксплуатации 2SB1197KT146R?
A: Максимальная температура эксплуатации составляет 150°C.

Q: Какова минимальная температура эксплуатации 2SB1197KT146R?
A: Минимальная температура эксплуатации составляет -55°C.

Q: Какова максимальная мощность рассеяния 2SB1197KT146R?
A: Максимальная мощность рассеяния составляет 200мВт.

Q: Является ли 2SB1197KT146R радиационно-жестким?
A: Нет, 2SB1197KT146R не является радиационно-жестким.

Q: Какова упаковка 2SB1197KT146R?
A: Упаковка - лента и рельс (TR).