НJVMJD31CT4G - высокопроизводительный транзистор NPN с общим электродом от ON Semiconductor, предназначенный для широкого спектра приложений. Это устройство с одним транзистором имеет напряжение коллектор-эммиттера 100В, напряжение разрушения коллектор-эммиттера 100В и напряжение коллектор-эммиттера 40В, что делает его подходящим для использования в автомобильных и промышленных приложениях.

Характеристики:

Высокое напряжение коллектор-эммиттера (VCBO) и напряжение разрушения коллектор-эммиттера (BVCEO) 100В

Низкое напряжение коллектор-эммиттера (VCEO) 40В

Высокий коэффициент усиления DC (hFE) 10

Диапазон рабочей температуры от -65°C до 150°C (TJ)

Пакет поверхностного монтажа (TO-252-3, DPak, SC-63)

Без свинца и соответствует требованиям RoHS3

Автомобильная сертификация (AEC-Q101) и подходит для промышленных приложений

Приложения:

Автомобильные приложения, такие как системы управления двигателем, системы противобуксовки и системы управления окнами

Промышленные приложения, такие как управление двигателем, источники питания и системы освещения

Общие приложения, такие как усилители, генераторы и переключатели

Альтернативные части:

NJVMJD31CT4G является заменой для других NPN-транзисторов с аналогичными характеристиками, такими как 2N3904, 2N3906 и BC547.

Модули встраиваемых:

Этот транзистор часто используется в различных модулях встраиваемых, включая модули управления двигателем, модули источников питания и модули управления освещением.

Вопросы и ответы:

Q: Какова максимальная токовая нагрузка транзистора NJVMJD31CT4G?
A: Максимальная токовая нагрузка составляет 3А.

Q: Какова максимальная мощность рассеивания транзистора NJVMJD31CT4G?
A: Максимальная мощность рассеивания составляет 15Вт.

Q: является ли транзистор NJVMJD31CT4G без свинца и соответствует требованиям RoHS3?
A: Да, транзистор NJVMJD31CT4G является без свинца и соответствует требованиям RoHS3.

Q: Какой диапазон рабочей температуры имеет транзистор NJVMJD31CT4G?
A: Диапазон рабочей температуры составляет от -65°C до 150°C (TJ).