Описание продукта

Микросхема ON Semiconductor BSS123LT1G - поверхностно-_mount, канальный enhancement-mode МОСФЕТ, предназначенный для применения в схемах переключения. Этот МОСФЕТ имеет низкое сопротивление на включении 6Ω и максимальный ток через дренаж 170mA, что делает его подходящим для широкого спектра приложений.

Характеристики

Низкое сопротивление на включении (Rds(on)) 6Ω

Максимальный ток через дренаж 170mA

Диапазон рабочих температур от -55°C до 150°C

Режим усиления

Пакет поверхностного монтажа (TO-236-3, SC-59, SOT-23-3)

Без свинца и соответствует директиве RoHS3

Применения

Основные приложения:

Устройства питания с переключением

Схемы управления двигателями

Аудио-усилители

Второстепенные приложения:

Схемы управления мощностью

Схемы управления LED

Автомобильная электроника

Альтернативные части

BSS123LT1G является альтернативой другим канальным МОСФЕТам, таким как NXP BSS123LT1G и STMicroelectronics BSS123LT1G.

Встроенные модули

Этот МОСФЕТ используется в различных встроенных модулях, включая:

Модули управления мощностью

Модули управления двигателями

Модули аудио-усилителей

Вопросы и ответы

Q: Какова максимальная величина тока через дренаж BSS123LT1G?
A: Максимальная величина тока через дренаж составляет 170mA.

Q: Какой диапазон рабочих температур у BSS123LT1G?
A: Диапазон рабочих температур составляет от -55°C до 150°C.

Q: является ли BSS123LT1G без свинца и соответствует директиве RoHS3?
A: Да, BSS123LT1G является без свинца и соответствует директиве RoHS3.

Q: Какова величина сопротивления на включении BSS123LT1G?
A: Величина сопротивления на включении составляет 6Ω.

Q: Какова максимальная напряженность BSS123LT1G?
A: Максимальная напряженность составляет 100В.

Q: Какой тип пакета у BSS123LT1G?
A: Тип пакета - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Q: подходит ли BSS123LT1G для применения в радиационно-устойчивых схемах?
A: Нет, BSS123LT1G не предназначен для применения в радиационно-устойчивых схемах.